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N-mosfet-dual gate 20v 50ma 0.33w sot103

N-mosfet-dual gate 20v 50ma 0.33w sot103
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BF910
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TECHNICAL SPECIFICATIONS:

  • N-Channel, Dual-Gate Tetrode MOSFET
  • Maximum power dissipation (Pd): 0.33W
  • Maximum drain-source voltage |Uds|: 20V
  • Maximum gate-source voltage |Ugs|: 30V
  • Maximum drain current |Id|: 0.05A
  • Maximum junction temperature (Tj): 150 °C
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