Transistor n-mosfet unipolaire 30v 260a 230w to220ab

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IRLB3813PBF
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Fabricant : INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor : N-MOSFET
La technologie : HEXFET®
Polarisation : unipolaire
Tension drain-source : 30V
Courant du drain : 260A
Puissance de dissipation : 230W
Boîtier : TO220AB
Tension entrée-source : ±20V
Résistance en état de conduction : 1,95mΩ
Montage : THT
Charge d'entrée : 57nC
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs : logic level
Type de transistor : N-MOSFET
La technologie : HEXFET®
Polarisation : unipolaire
Tension drain-source : 30V
Courant du drain : 260A
Puissance de dissipation : 230W
Boîtier : TO220AB
Tension entrée-source : ±20V
Résistance en état de conduction : 1,95mΩ
Montage : THT
Charge d'entrée : 57nC
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